インフィニオン・テクノロジーズ（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス、および SiC MOSFET トレンチゲート技術の世界的リーダーであり、優れた性能と高い信頼性を両立したソリューションにより業界をリードし続けています。現在、CoolSiC™製品シリーズは 400V～3.3kV の広範な電圧帯をカバーし、車載電力伝達システム、EV 充電システム、太陽光発電システム、エネルギー貯蔵システム、高出力駆動用インバーターなどの分野で活用されています。
インフィニオンは長年の SiC 事業で培ったノウハウ、シリコンベース電荷補償デバイス（CoolMOS™）分野におけるイノベーション力を活かし、今回SiC トレンチスーパージャンクション（TSJ）技術を新たに発表しました。
パッケージ仕様：IDPAK、型番 MDIP-04-01
インフィニオン ゼロカーボン産業用パワー事業本部長 ピーター・ワワーは次のように述べています。「TSJ 技術の投入により、当社の SiC 技術ポートフォリオは大幅に拡充されます。トレンチゲート構造とスーパージャンクション技術を融合することで、高効率化とデバイスの小型コンパクト化を実現でき、極めて高い性能・信頼性が要求される用途において非常に大きなメリットをもたらします。今後、インフィニオンは SiC TSJ 技術を活用し、CoolSiC™製品ラインナップを段階的に拡大していきます。拡充範囲はディスクリートデバイス、モールド型・フレーム型パッケージモジュール、ベアウェーハなど複数のパッケージ形式に及び、車載・産業分野の多様なニーズに対応可能な製品群を構築します。」
本新技術を採用した初号製品は、車載駆動用インバーター向けの IDPAK パッケージ採用 1200V パワーデバイスです。同製品はインフィニオンが 25 年以上積み上げた SiC 技術、シリコンベーススーパージャンクション（CoolMOS™）の技術資産を活用し、トレンチゲート技術とスーパージャンクション設計の長所を融合しています。スケーラブルなパッケージプラットフォームにより最大 800kW までの出力に対応し、システム構成の高い自由度を実現します。
本技術の大きな特長の一つは、単位面積当たりのオン抵抗（Ron・A）を最大 40% 低減することで、同一出力においてよりコンパクトな設計を実現し、電力密度を大幅に向上させる点です。さらに IDPAK パッケージの 1200V SiC TSJ パワーデバイスは、短絡耐量を犠牲にすることなく、メインインバーターの電流許容容量を最大 25% 向上させることが可能です。
今回の技術革新により、過酷な環境で使用される車載・産業用途においてシステム全体の性能向上が実現し、エネルギー消費の削減、放熱負荷の低減、信頼性の向上が図れます。また並列接続素子数の削減により回路設計が簡素化され、システム全体のコスト削減にも貢献します。これらの優位性により、IDPAK パッケージ採用 SiC TSJ パワーデバイスは、車載用途においてより高効率かつ低コストな駆動用インバーターの開発を支えます。
インフィニオン車載電子機器事業本部長 ピーター・シーファーは次のように述べています。「車載半導体の世界的リーダーとして、インフィニオンは常に技術革新を主導し、自動車技術の進化と持続可能なモビリティ社会の架け橋を構築してきました。今回のトレンチゲートベース新規 SiC スーパージャンクション技術は効率向上とシステム設計の簡素化を実現し、電気自動車の電力伝達システムに大きな価値をもたらします。」
現代自動車開発チームはインフィニオン TSJ 技術の初期導入顧客の一社であり、本技術を活用して電気自動車製品の性能向上を進めます。今回の連携により現代自動車は、より高効率かつコンパクトな EV パワートレインの開発を推進できます。
（出典：インフィニオン産業用半導体事業部）